مقاله 1، دوره 5، شماره 19، پاییز 1393، صفحه 3-10 اصل مقاله (987 K) | |||||||||||||||||
نوع مقاله: مقاله پژوهشی | |||||||||||||||||
نویسندگان | |||||||||||||||||
امیر باغی رهین 1 ؛ ضیاءالدین دائی کوزه کنانی2 | |||||||||||||||||
1دانشگاه آزاد اسلامی واحد سردرود | |||||||||||||||||
2دانشگاه تبریز | |||||||||||||||||
چکیده | |||||||||||||||||
در این مقاله، یک تقویت کننده ترارسانایی عملیاتی (OTA) ولتاژ پایین و توان
پایین با استفاده از ترانزیستور FGMOS پیشنهاد شده است. در OTA پیشنهادی در تکنولوژی TSMC 0.18 µm CMOS با ولتاژ تغذیه یک ولت و توان مصرفی ماکزیمم
40 µW، محدوده تنظیم نسبی 50 برابر به دست میآید. نتایج شبیهسازی
تقویتکننده پیشنهادی، بهره حلقه باز 30.2 dB و فرکانس بهره واحد 942 MHz
را نشان میدهند. در مقایسه با کارهای قبلی، تقویت کننده پیشنهادی، با
ولتاژ تغذیه کمتر، عملکرد فرکانسی بهتر، سوئینگ ولتاژ خروجی بالاتر، خطینگی بهتر و توان مصرفی کمتری را عرضه میکند. OTA پیشنهادی در ساختار یک فیلتر "Gm-C" مرتبه دوم به کار گرفته شده و محدوده تنظیم خوب از 100
kHz تا 5.6 MHz به دست آمد که مشخصات بیسیم Bluetooth (فرکانس 650 kHz)،
CDMA2000 (فرکانس 700 kHz) و Wideband CDMA (فرکانس 2.2 MHz) را به خوبی
پوشش میدهد. مساحت اشغال شده سیلیکون برای فیلتر طراحی شده برابر
192μm×535μm میباشد.
|
برچسب : نویسنده : 0mselec9 بازدید : 379